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無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技股份有限公司年新增研發(fā)20臺(tái)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收 |
| 發(fā)布者：無(wú)錫市科泓環(huán)境工程技術(shù)有限責(zé)任公司 發(fā)布時(shí)間：6/4/2026 1:57:42 PM 點(diǎn)擊次數(shù)：63 關(guān)閉 |
| 按照《國(guó)務(wù)院關(guān)于修改(建設(shè)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)管理?xiàng)l例)的決定》(國(guó)務(wù)院令第682號(hào))以及環(huán)保部《關(guān)于發(fā)布(建設(shè)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收暫行辦法)的公告》(國(guó)環(huán)規(guī)環(huán)評(píng)【2017】4號(hào))，將無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技股份有限公司年新增研發(fā)20臺(tái)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備項(xiàng)目”竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收內(nèi)容公示如下: 項(xiàng)目名稱:年新增研發(fā)20臺(tái)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備項(xiàng)目 建設(shè)單位:無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技股份有限公司 地址:無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)、35-321號(hào) 建設(shè)內(nèi)容:竣工驗(yàn)收?qǐng)?bào)告，詳見附件 公示時(shí)間:2026年6月4日至2026年7月1日 |
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